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Qualcomm、マルチバンド対応の4G LTE向け第5世代Gobiプラットフォームを発表

Qualcomm LTE向け第5世代Gobi

米Qualcommは現地時間2月21日、Gobiファミリーの最新チップセットとして、4G LTEワイヤレスモデム最新版「MDM9615」と「MDM9215」をアナウンスした。 第5世代Gobiプラットフォームは、1つのチップに世界のほぼすべての主要モバイル標準サポートを組み込んでおり、FDDおよびTDDのLTE方式をサポートするとともに、3G(HSPA+およびEV-DO)との下位互換性も備える。また、GPS機能やLTE拡張機能付きアプリケーション・プログラミング・インターフェース(API)を搭載しており、CDMA2000、1xEV-DO Rev. AおよびB、HSPA+、デュアルキャリアHSPA+、TD-SCDMA、LTEなどの接続標準との互換性も確保される。Qualcommによると、多数の周波数帯への対応を1チップに収めた世界初のチップセットだという。 また、MDMチップセット向けのソフトウェア拡張機能も提供され、ワイヤレス技術とオペレーティングシステムに関係なく、共通のソフトウェアインターフェースで3G/4Gデバイスを接続、検索、管理することができる。 Appleはすでに、「iPhone 4S」でGSMとCDMAをサポートするチップを採用しているが、4G LTEには対応していない。また、次期「iPad 3」においてLTE対応が噂されているが、GSM/CDMA 3Gに対応するCSフォールバック機能付きになるとみられている。 AppleがiOS端末にLTEチップセットを採用しなかった理由として、前世代までは複数のベースバンドチップが必要であり、サイズや電力、コストがかさんで、コンパクトなiPhone/iPadに搭載するのは困難だとされていた。 しかし、この日アナウンスされた第5世代Gobiは全機能がワンチップに収まることから、ワイヤレスモデム「MDM9615」を搭載したLTE対応の「iPhone 5」が、今年夏から秋頃には登場するとみられる。 [Qualcomm Incorporated] [See Also..] 【アナリスト】4G LTE対応の「iPhone 5」は早くても2012年春以降

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ドコモやサムスンなど5社、スマホ向けLTEチップを共同開発

NTTドコモは12月27日、スマートフォン向けの半導体開発・販売を行う合弁会社を2012年3月下旬に設立すると発表した。 合弁会社は、富士通、富士通セミコンダクター、NEC、パナソニックモバイルコミュニケーションズ、サムスン電子およびドコモの5社が出資。出資比率は未定ながらドコモが筆頭株主となる予定。 各社が保有する通信技術に関するノウハウを結集して、LTEおよび次世代通信規格「LTE-Advanced」に対応する製品開発を行う。製造はサムスンが請け負い、開発した半導体は国内外の端末メーカーへ販売される予定だ。 今回の基本合意を受けて、NTTドコモは2012年1月中旬、100%出資の準備会社「通信プラットフォーム企画」を設立する。 スマートフォン向け半導体市場では米Qualcommが高いシェアを占めているが、ドコモを中心とした日韓連合で対抗する。

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TSMC、28nmプロセスの量産を開始

台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー(TSMC)は24日、28nmプロセスルールのウェハ量産開始を発表した。すでにAltera、AMD、Qualcommなどに量産ウェハが出荷されている。 28nmノードでHigh Performance(28HP)、High Performance Low Power(28HPL)、Low Power(28LP)、High Performance Mobile Computing(28HPM)といった4種類のプロセスがラインアップされており、モバイル向け28HPMは2011年内に量産が開始される予定だが、そのほかの28HP、28HPL、28LPは量産が開始されている。 28nm製品のテープアウト数は40nm時と比較して2倍以上となっており、現在80製品以上がテープアウトされている。また、AMDとNVIDIAは28nmグラフィックスプロセッサで採用するほか、QualcommのSnapdragon S4クラスも28LPプロセスで製造される。 TSMCは以前、Appleの次期モバイルプロセッサ「A6」の試験生産を開始したと報じられたが、チップの製造工程で問題が生じて最終段階の協議には至っておらず、クアッドコア「A6」チップはサムスン電子が引き続き受注する公算が大きいとみられている。

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