サムスン電子、20nmプロセス採用のDRAM量産へ

サムスン電子は22日、20nmプロセス採用のDRAM量産を開始したと発表。また、最近完成した世界最大規模の工場「第16ライン」では、NAND型フラッシュメモリも生産する。チップの微細化により、スマートフォンやタブレット端末などの小型化や軽量化が可能となる。

量産を開始したのは、2ギガビットのDDR3 DRAMで、年内にも4ギガビット品が開発される見込みだ。韓国では、サムスン以外にもハイニックスが来年前半に20nmプロセスDRAMの量産に入るとみられる。

20nmの量産により製造コストが約半分となり消費電力が40%軽減するほか、競合社比で40％安い価格で販売できるとされる。

エルピーダメモリは同日、25nmプロセス採用のDRAMを開発完了したと発表したが、微細化競争でサムスンに先行される構図は変わっていない。