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iFixiが「iPhone 4S」を分解＝RAMは512MB、ベースバンドチップはQualcomm製MDM6610

iFixitが正式発売前の「iPhone 4S」を分解レポート。

修理会社の米iFixiが「iPhone 4S」の分解レポートを掲載している。

バッテリ容量は5.25Whrから5.3Whrに微増しており、マルチモード対応のベースバンドチップはQualcomm製MDM6600（CDMA版）からMDM6610へと刷新されている。

また、A5チップは「iPad 2」と同じサムスン製K3PE4E400B-XGC1、オンボードメモリは512MB LPDDR2である。

分解写真から、パワーマネージメントICはApple 338S0973、マルチバンド対応RFトランシーバはQualcomm RTR8605、パワーアンプはAvago ACPM-7181、Skyworks 77464-20、TriQuint TQM9M9030などが確認できる。

デュアルコアプロセッサ「A5」＝2つのコアで最大2倍のパワー、グラフィックスは最大7倍高速に。

また、フラッシュメモリは東芝製でiPhone 4と同じNAND型MLC（THGVX1G7D2GLA08/16GB/24nm）が使用されている。

振動モータは、GSM版の回転モータではなく、トルクを利用して直線運動を得るCDMA版と同じリニアモータが採用されている。

iPhone 4Sは10月14日午前8時より、米国、オーストラリア、カナダ、フランス、ドイツ、英国および日本で発売開始となる。

【Updated】
イメージセンサーはこれまでのOmniVisionからソニー製へ変更となったことが分かった。採用されているのは裏面照射型CMOSイメージセンサー「Exmor R for mobile」で、高感度・低ノイズが特徴である。

Wi-Fi/Bluetooth/Frequency Modulation (FM) モジュールは村田製作所とBroadcomが供給、音声コーデックはCirrus Logic製で、iPhone 4に搭載されていたAudience製ノイズキャンセル機能向けチップは4Sでは無くなっており、おそらくはA5チップに直接組み込まれたとみられる。

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team HDT