サムスン電子は中国にNAND型フラッシュメモリの生産拠点新設を検討しているようだ（Reuters）。すでに同社は韓国政府に中国工場建設の申請をしており、2013年からの稼働を目指している。 (more…)
Appleと係争中のサムスン電子だが、モバイル向け次世代プロセッサ「A6」の受注を獲得するかもしれないようだ（The Korea Times）。「A4」も「A5」もサムスン電子の45nmプロセス技術で製造されていたが、クアッドコア「A6」チップは28nmプロセス製造となる見込み。 Appleは先月、半導体の受託製造企業である台湾積体電路製造（TSMC）と次期iOSデバイス向けSoC（A6およびA7チップ）製造で正式に契約を締結したようだとも報じられていたが、生産に関する最終段階の協議には至っていなかった。 TSMCは次期モバイルプロセッサ「A6」の試験生産を開始していたが、チップの製造工程で問題が生じたようであり、同社の受注は極めて少量となる模様だ。よって、Appleは危険を回避するためにもサムスン電子との距離を再度縮めたとみられる。 Appleはここ数ヶ月、対立するサムスン電子からの購入を減らして、東芝やエルピーダメモリなど日本メーカーからのDRAMやNAND型フラッシュメモリの買い入れを増やしていた。 また、次世代iPhoneのスクリーンは、LG Display製の4インチサイズ（960×640ドット）となって、バッテリ寿命や明度の問題があるため有機ELディスプレイは採用されないとみられている。 さらに、LG Displayの幹部によると、iPhone 5およびiPad 3 は2012年の1〜3月期に発売されるという見通しを示した。
修理会社の米iFixiが「iPhone 4S」の分解レポートを掲載している。 バッテリ容量は5.25Whrから5.3Whrに微増しており、マルチモード対応のベースバンドチップはQualcomm製MDM6600（CDMA版）からMDM6610へと刷新されている。 また、A5チップは「iPad 2」と同じサムスン製K3PE4E400B-XGC1、オンボードメモリは512MB LPDDR2である。 分解写真から、パワーマネージメントICはApple 338S0973、マルチバンド対応RFトランシーバはQualcomm RTR8605、パワーアンプはAvago ACPM-7181、Skyworks 77464-20、TriQuint TQM9M9030などが確認できる。 (more…)
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