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	<title>NAND型 | HDT.jp</title>
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	<title>NAND型 | HDT.jp</title>
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		<title>サムスン、中国でNAND型フラッシュメモリ生産へ＝スマホなどへの迅速な供給体制を確立</title>
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		<pubDate>Tue, 06 Dec 2011 12:40:19 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Tech]]></category>
		<category><![CDATA[NAND型]]></category>
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					<description><![CDATA[<p>サムスン電子は中国にNAND型フラッシュメモリの生産拠点新設を検討しているようだ（Reuters）。すでに同社は韓国政府に中国工場建設の申請をしており、2013年からの稼働を目指している。 3,000億円前後が投じられるとみられる同工場では、20nmプロセスのNAND型フラッシュメモリが生産されるとみられており、サムスンはこれとは別にフラットスクリーンの生産でも中国進出を視野に入れているとされる。 AppleのiPhoneやiPadなど、スマートフォンやタブレット端末の製造拠点が中国に集中していることから、サムスンは中国マーケットを重視しており、現地生産による素早い供給体制の確立が必要と判断したようだ。</p>
<p>The post <a href="https://hdt.jp/2011/12/06/samsung-plans-nand-memory-chip-line-in-china/">サムスン、中国でNAND型フラッシュメモリ生産へ＝スマホなどへの迅速な供給体制を確立</a> first appeared on <a href="https://hdt.jp">HDT.jp</a>.</p>]]></description>
		
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		<title>サムスン、次期iOSデバイス向けプロセッサ「A6」製造を受注か？</title>
		<link>https://hdt.jp/2011/10/18/samsung-supply-quad-core-a6-cpu-for-iphone/</link>
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		<dc:creator><![CDATA[team HDT]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 17 Oct 2011 17:02:38 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[iPhone]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
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					<description><![CDATA[<p>Appleと係争中のサムスン電子だが、モバイル向け次世代プロセッサ「A6」の受注を獲得するかもしれないようだ（The Korea Times）。「A4」も「A5」もサムスン電子の45nmプロセス技術で製造されていたが、クアッドコア「A6」チップは28nmプロセス製造となる見込み。 Appleは先月、半導体の受託製造企業である台湾積体電路製造（TSMC）と次期iOSデバイス向けSoC（A6およびA7チップ）製造で正式に契約を締結したようだとも報じられていたが、生産に関する最終段階の協議には至っていなかった。 TSMCは次期モバイルプロセッサ「A6」の試験生産を開始していたが、チップの製造工程で問題が生じたようであり、同社の受注は極めて少量となる模様だ。よって、Appleは危険を回避するためにもサムスン電子との距離を再度縮めたとみられる。 Appleはここ数ヶ月、対立するサムスン電子からの購入を減らして、東芝やエルピーダメモリなど日本メーカーからのDRAMやNAND型フラッシュメモリの買い入れを増やしていた。 また、次世代iPhoneのスクリーンは、LG Display製の4インチサイズ（960×640ドット）となって、バッテリ寿命や明度の問題があるため有機ELディスプレイは採用されないとみられている。 さらに、LG Displayの幹部によると、iPhone 5およびiPad 3 は2012年の1〜3月期に発売されるという見通しを示した。</p>
<p>The post <a href="https://hdt.jp/2011/10/18/samsung-supply-quad-core-a6-cpu-for-iphone/">サムスン、次期iOSデバイス向けプロセッサ「A6」製造を受注か？</a> first appeared on <a href="https://hdt.jp">HDT.jp</a>.</p>]]></description>
		
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		<title>iFixiが「iPhone 4S」を分解＝RAMは512MB、ベースバンドチップはQualcomm製MDM6610</title>
		<link>https://hdt.jp/2011/10/14/iphone-4s-teardown/</link>
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		<dc:creator><![CDATA[team HDT]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 13 Oct 2011 17:39:31 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[iPhone]]></category>
		<category><![CDATA[iPhone 4S]]></category>
		<category><![CDATA[NAND型]]></category>
		<category><![CDATA[Qualcomm]]></category>
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					<description><![CDATA[<p>修理会社の米iFixiが「iPhone 4S」の分解レポートを掲載している。 バッテリ容量は5.25Whrから5.3Whrに微増しており、マルチモード対応のベースバンドチップはQualcomm製MDM6600（CDMA版）からMDM6610へと刷新されている。 また、A5チップは「iPad 2」と同じサムスン製K3PE4E400B-XGC1、オンボードメモリは512MB LPDDR2である。 分解写真から、パワーマネージメントICはApple 338S0973、マルチバンド対応RFトランシーバはQualcomm RTR8605、パワーアンプはAvago ACPM-7181、Skyworks 77464-20、TriQuint TQM9M9030などが確認できる。 また、フラッシュメモリは東芝製でiPhone 4と同じNAND型MLC（THGVX1G7D2GLA08/16GB/24nm）が使用されている。 振動モータは、GSM版の回転モータではなく、トルクを利用して直線運動を得るCDMA版と同じリニアモータが採用されている。 iPhone 4Sは10月14日午前8時より、米国、オーストラリア、カナダ、フランス、ドイツ、英国および日本で発売開始となる。 【Updated】 イメージセンサーはこれまでのOmniVisionからソニー製へ変更となったことが分かった。採用されているのは裏面照射型CMOSイメージセンサー「Exmor R for mobile」で、高感度・低ノイズが特徴である。 Wi-Fi/Bluetooth/Frequency Modulation (FM) モジュールは村田製作所とBroadcomが供給、音声コーデックはCirrus Logic製で、iPhone 4に搭載されていたAudience製ノイズキャンセル機能向けチップは4Sでは無くなっており、おそらくはA5チップに直接組み込まれたとみられる。 【関連記事】iPhone 4S (16GB) の部品コストは188ドル</p>
<p>The post <a href="https://hdt.jp/2011/10/14/iphone-4s-teardown/">iFixiが「iPhone 4S」を分解＝RAMは512MB、ベースバンドチップはQualcomm製MDM6610</a> first appeared on <a href="https://hdt.jp">HDT.jp</a>.</p>]]></description>
		
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		<item>
		<title>HP、メモリスタを18ヶ月以内に商用化へ</title>
		<link>https://hdt.jp/2011/10/11/hp-hynix-launch-reram-memristor-2013/</link>
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		<dc:creator><![CDATA[team HDT]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 10 Oct 2011 15:44:14 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Tech]]></category>
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					<description><![CDATA[<p>HPはHynixと共同開発しているメモリスタ（Memristor）を2013年内に商用化する計画を明らかにした。 HP Labsのシニア研究員であるStan Williams氏は、International Electronics Forum 2011において、2013年の夏にはメモリスタをフラッシュメモリの代替として商品化を実現し、その後SSD市場にも参入すると述べた。 メモリスタは、抵抗器、コンデンサ、インダクタに次ぐ第4の回路素子で、1971年にカリフォルニア大学バークレイ校のLeon Chua教授が理論上の回路として論文で発表していた技術だ。HPは2008年に二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタを開発して注目されていた。 HPとHynixは昨年から、電源を切っても記憶した情報を失わない不揮発性メモリ技術「ReRAM」として、メモリスタを共同で研究・開発を進めてきた。 メモリスタは、消費電力が少なくSSDよりもパフォーマンスで上回り、コスト軽減も期待される。また、論理回路の製造も可能であり、1チップでプロセッサとメモリを実装可能だ。 Williams氏は不揮発性の半導体メモリとして、NAND型フラッシュメモリの代替品開発は問題はなく、また、DRAMについても1ビットあたりのエネルギー変換で2桁以上の改良が可能であると述べ、2014〜15年にはSRAMの代替品として商品化をする計画だとしている。 HPのスポークスマンはメモリスタの商品化の時期は約束はできないものの、開発は順調に進んでおり2013年内に商品化をするのが目標であることを認めた。</p>
<p>The post <a href="https://hdt.jp/2011/10/11/hp-hynix-launch-reram-memristor-2013/">HP、メモリスタを18ヶ月以内に商用化へ</a> first appeared on <a href="https://hdt.jp">HDT.jp</a>.</p>]]></description>
		
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		<item>
		<title>サムスン、Appleとの法廷闘争により売上に打撃も</title>
		<link>https://hdt.jp/2011/09/26/samsung-legal-woes-threaten-crimp-tablet-chip/</link>
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		<dc:creator><![CDATA[team HDT]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 26 Sep 2011 06:24:26 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Apple]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
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					<description><![CDATA[<p>サムスンとAppleは今年4月以降、スマホとタブレット（iPhone/iPad vs Galaxyシリーズ）の特許をめぐって全世界で訴訟合戦を繰り広げているが、サムスンにとっての代償は高く業績にも悪影響を与える可能性が報じられている。両社は現在、9カ国で20件以上の訴訟を抱えている（Reuters）。 すでに、ドイツやオランダなどではサムスン電子の一部機種の販売が制限されており、また、オーストラリアでも今週、タブレット端末販売の是非について判断が下される。 Appleは脱サムスンを急速に進めており、サムスンにとっては最大顧客を失いつつあることを意味する。サムスンの昨年の総売上の約4パーセント（57億ドル）がApple向けだった。 Appleは日本メーカーからのDRAMとNAND型フラッシュメモリ買い入れを増やしており、また、次期iOSデバイス向けSoC製造でも、サムスンではなくTSMCと契約を締結したと報じられている。 サムスン、Appleともに法廷外協議に持ち込んで和解したい思惑もあるが、サムスンが世界最大のIT企業相手に強気なスタンスを示しているのは、顧客からのサポートを得ようとする狙いもあるとみられている。 実際、iPhoneを米国で発売しているキャリアVerizon Wirelessは先週、Appleの要求したサムスン製品販売差し止め命令を発行しないよう求める意見書を米裁判所に提出している。</p>
<p>The post <a href="https://hdt.jp/2011/09/26/samsung-legal-woes-threaten-crimp-tablet-chip/">サムスン、Appleとの法廷闘争により売上に打撃も</a> first appeared on <a href="https://hdt.jp">HDT.jp</a>.</p>]]></description>
		
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		<item>
		<title>サムスン電子、20nmプロセス採用のDRAM量産へ</title>
		<link>https://hdt.jp/2011/09/22/samsung-announced-20nm-class-2-gb-ddr3-dram/</link>
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		<dc:creator><![CDATA[team HDT]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 22 Sep 2011 04:32:14 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Tech]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[NAND型]]></category>
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		<category><![CDATA[フラッシュメモリ]]></category>
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					<description><![CDATA[<p>サムスン電子は22日、20nmプロセス採用のDRAM量産を開始したと発表。また、最近完成した世界最大規模の工場「第16ライン」では、NAND型フラッシュメモリも生産する。チップの微細化により、スマートフォンやタブレット端末などの小型化や軽量化が可能となる。 量産を開始したのは、2ギガビットのDDR3 DRAMで、年内にも4ギガビット品が開発される見込みだ。韓国では、サムスン以外にもハイニックスが来年前半に20nmプロセスDRAMの量産に入るとみられる。 20nmの量産により製造コストが約半分となり消費電力が40%軽減するほか、競合社比で40％安い価格で販売できるとされる。 エルピーダメモリは同日、25nmプロセス採用のDRAMを開発完了したと発表したが、微細化競争でサムスンに先行される構図は変わっていない。</p>
<p>The post <a href="https://hdt.jp/2011/09/22/samsung-announced-20nm-class-2-gb-ddr3-dram/">サムスン電子、20nmプロセス採用のDRAM量産へ</a> first appeared on <a href="https://hdt.jp">HDT.jp</a>.</p>]]></description>
		
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		<item>
		<title>Apple、「脱サムスン」加速＝日本からのDRAM/NAND型フラッシュ購入を増加</title>
		<link>https://hdt.jp/2011/09/22/apple-increase-memory-purchases-from-japan-reduce-from-samsung/</link>
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		<dc:creator><![CDATA[team HDT]]></dc:creator>
		<pubDate>Thu, 22 Sep 2011 03:05:35 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Apple]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[NAND型]]></category>
		<category><![CDATA[サムスン電子]]></category>
		<category><![CDATA[フラッシュメモリ]]></category>
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					<description><![CDATA[<p>Appleは日本メーカーからのDRAMとNAND型フラッシュメモリ買い入れを増やしているようだ。DIGITIMESが22日付けで伝えた。 業界情報筋から得たという情報によると、Appleはサムスン電子からの購入を減らして、東芝やエルピーダメモリからの購入を増加させているという。 サムスン電子との間で繰り広げられている、スマホやタブレットの特許を巡る対立が影響しているようだ。 Appleは次期iOSデバイス向けSoC製造でも、サムスン電子ではなくTSMCと正式に契約を締結したと報道されている。</p>
<p>The post <a href="https://hdt.jp/2011/09/22/apple-increase-memory-purchases-from-japan-reduce-from-samsung/">Apple、「脱サムスン」加速＝日本からのDRAM/NAND型フラッシュ購入を増加</a> first appeared on <a href="https://hdt.jp">HDT.jp</a>.</p>]]></description>
		
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