DRAM | HDT.jp

エルピーダ、会社更生法適用を申請＝株式上場廃止へ

team HDT — Mon, 27 Feb 2012 11:03:17 +0000

国内唯一のDRAMメーカーであるエルピーダメモリは2月27日、会社更生法の適用を東京地裁に申請したと発表[PDF]した。昨年3月末時点の負債総額は4,480億円で、製造業では過去最大の経営破綻となる。東京証券取引所はエルピーダの株式を整理銘柄に指定し、3月28日に株式上場を廃止すると発表した。エルピーダはパソコンや携帯電話などに使う半導体メモリーのDRAM製造で世界3位だが、価格下落や超円高、タイ大洪水などの影響で資金繰りが悪化し、自主再建を断念した。政府は2009年に産活法（改正産業活力再生特別措置法）を初めて適用し、エルピーダに300億円の公的資金を投入。主力取引銀行も1,000億円規模の融資を行ったが、12年3月期決算は1,000億円超の赤字見通しで、4月には借金返済期限も迫っていた。エルピーダは生き残りをかけて、米マイクロン・テクノロジーや台湾の南亜科技などと提携を模索していたが、交渉は難航していた。 [See Also..] – エルピーダ、円高で567億円の赤字＝広島工場から台湾に4割移転へ – エルピーダ、世界最小となる25nmプロセスDRAMを開発＝次世代スマートフォンやタブレットに搭載へ

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タイ大洪水によりHDD不足が深刻化＝PC生産供給が10%不足も

team HDT — Mon, 07 Nov 2011 05:57:36 +0000

犠牲者が500人を超えたタイの大規模洪水により、日本や台湾、中国系の電子部品工場が次々に浸水被害を受けており、12月以降のパソコン供給に大きな影響が出てきそうだ。 PC向けでは、HDDやDRAMをはじめとする主要部品の調達が滞りはじめている。タイは世界第2位のHDD生産拠点だが、DIGITIMESによると、PCベンダーは通常4週間分のHDD在庫を保持しており、ODMメーカーは約1週間分しか余裕を持たないという。また、出荷中の製品は1週間分であるとみられることから、トータルで4〜6週間分の調達が可能なため、11月のパソコン出荷には影響が無いとしている。しかし、今年12月から2012年第1四半期にかけて、PC需要に対して最大10%の供給不足に陥ると予想されており、HPやDell、Acerなどが打撃を受けるとみられている。タイのHDD出荷量は2012年第1四半期に40〜50%減と見積もられており、現地正常化は2012年2〜3月頃まで難しいという。すでに国内市場ではHDD製品の値上がりや品薄が確認されており、NECや富士通などの国内メーカーもHDD調達に苦慮している。直接被害が無い工場でも、サプライチェーンが影響を受けて減産に追い込まれているケースもある。パソコン以外でもHDDを内蔵するレコーダーなど最終製品の値上げが始まっており、タイに生産工場を構えるニコンやソニーはデジタル一眼カメラ生産で大打撃を受け、キヤノンはインクジェットプリンタPIXUSの生産に影響が出ている。スマートフォン向けの部品メーカーも多いことから、一部メーカーの部品供給が滞る可能性も指摘されている。また、電子機器以外にも、日産やホンダなどの自動車メーカーが大きな打撃を受けている。大規模洪水は首都バンコク市内60%の地域に広がっており、これまでに計8つの工業団地で浸水被害が出ている。

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エルピーダ、円高で567億円の赤字＝広島工場から台湾に4割移転へ

team HDT — Thu, 27 Oct 2011 13:54:22 +0000

国内唯一のDRAMメーカーであるエルピーダメモリは27日、2011年4～9月期の連結決算を発表。売上高は前年同期比で約半減の1597億円、最終損益は567億円の赤字（前年同期は398億円の黒字）に転落、4〜9月期としては過去最大の赤字となった。パソコン向け需要が減少したほか、単価の大幅下落や超円高が収益を悪化させた。決算発表会見で坂本幸雄社長は、円高対策について「（円高が）ボディーブローのように効いてくる。いや、アッパーカットだ」とボクシングに例えて、現在の厳しい経営状態を表現。さらに「海外移転しかない」と述べて、広島工場の生産能力のうち40%を台湾子会社に移転する方針を示し「すぐに実行する」と語った。同社長は「直径300ミリのシリコンウェハ換算で月間12万枚のうち5万枚を想定」しているという。 2Gb DDR3のスポット価格は8月下旬に0.9ドルまで下落し、9月中旬には1.2ドル水準まで上昇したが、10月にかけて再度下落して0.9ドルを割り込んでいる。さらにタイの大洪水によるHDD価格の上昇が、DRAM価格を引き下げる要因になるとの見通しもある。エルピーダは業績回復の道筋として、Ultrabookやタブレット、スマートフォン向けに4Gb DRAMへのシフトや30nmプロセス生産への移行、原材料購買時のUSドル建て比率の拡大などに加えて、「さらなる減産」が必要であると指摘している。

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サムスン、Appleと長期的戦略を協議

team HDT — Wed, 19 Oct 2011 17:10:18 +0000

特許をめぐる訴訟合戦を繰り広げているサムスン電子とAppleだが、長期的な戦略関係の構築を目指した会談が行われた（Yonhap News）。 S.ジョブズ氏の追悼式出席のため渡米したサムスン電子の李在鎔（イ・ジェヨン）社長は17日、Appleのティム・クックCEOと会談して、2013〜14年にどのような体制で部品を供給するかについて協議したという。 Appleはスマホやタブレットで競合するサムスンからのDRAMやフラッシュメモリの購入を減らして、さらに次期モバイルプロセッサ「A6」製造ではTSMCと契約を締結したとも報じられていた。

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iPhone 4/4Sに採用されている日本の部品メーカーの一覧

team HDT — Mon, 17 Oct 2011 21:03:31 +0000

日本経済新聞によると、iPhoneの世界シェアから推計されるスマホの部品市場は約5兆円であり、従来より小型大容量で省エネ性能の高い部品が求められているという。 Appleは電子部品メーカーに技術だけでなく、高い供給能力も求めており、あるメーカー幹部は「値切りはしないが、量と納期には極めて厳しい」と述べている。厳しい条件をクリアしたメーカーの部品だけが利用されるため、技術革新に乗り遅れた企業は苦境に立たされることになる。 iPhone 4および4Sで採用されている主な日本の部品メーカーは以下のとおり。・積層セラミックコンデンサー　→　村田製作所、TDK ・タンタルコンデンサー　→　NECトーキン・バッテリー　→　TDK、ソニー・コイル　→　TDK、村田製作所・基板コネクター　→　第一精工・基板　→　イビデン・基板塗装　→　タムラ製作所・無線LANモジュール　→　村田製作所・小型カメラ　→　ソニー・水晶部品　→　エプソントヨコム・フラッシュメモリ　→　東芝・電子コンパス　→　旭化成・電源IC　→　リコー・DRAM 　→　エルピーダメモリ・液晶パネル　→　東芝モバイルディスプレイ、シャープ今後は中国などのアジア企業の追い上げに対応するため、コストを下げてシェアを維持する持久力の有無が問われることになる。

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サムスン、次期iOSデバイス向けプロセッサ「A6」製造を受注か？

team HDT — Mon, 17 Oct 2011 17:02:38 +0000

Appleと係争中のサムスン電子だが、モバイル向け次世代プロセッサ「A6」の受注を獲得するかもしれないようだ（The Korea Times）。「A4」も「A5」もサムスン電子の45nmプロセス技術で製造されていたが、クアッドコア「A6」チップは28nmプロセス製造となる見込み。 Appleは先月、半導体の受託製造企業である台湾積体電路製造（TSMC）と次期iOSデバイス向けSoC（A6およびA7チップ）製造で正式に契約を締結したようだとも報じられていたが、生産に関する最終段階の協議には至っていなかった。 TSMCは次期モバイルプロセッサ「A6」の試験生産を開始していたが、チップの製造工程で問題が生じたようであり、同社の受注は極めて少量となる模様だ。よって、Appleは危険を回避するためにもサムスン電子との距離を再度縮めたとみられる。 Appleはここ数ヶ月、対立するサムスン電子からの購入を減らして、東芝やエルピーダメモリなど日本メーカーからのDRAMやNAND型フラッシュメモリの買い入れを増やしていた。また、次世代iPhoneのスクリーンは、LG Display製の4インチサイズ（960×640ドット）となって、バッテリ寿命や明度の問題があるため有機ELディスプレイは採用されないとみられている。さらに、LG Displayの幹部によると、iPhone 5およびiPad 3 は2012年の1〜3月期に発売されるという見通しを示した。

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HP、メモリスタを18ヶ月以内に商用化へ

team HDT — Mon, 10 Oct 2011 15:44:14 +0000

HPはHynixと共同開発しているメモリスタ（Memristor）を2013年内に商用化する計画を明らかにした。 HP Labsのシニア研究員であるStan Williams氏は、International Electronics Forum 2011において、2013年の夏にはメモリスタをフラッシュメモリの代替として商品化を実現し、その後SSD市場にも参入すると述べた。メモリスタは、抵抗器、コンデンサ、インダクタに次ぐ第4の回路素子で、1971年にカリフォルニア大学バークレイ校のLeon Chua教授が理論上の回路として論文で発表していた技術だ。HPは2008年に二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタを開発して注目されていた。 HPとHynixは昨年から、電源を切っても記憶した情報を失わない不揮発性メモリ技術「ReRAM」として、メモリスタを共同で研究・開発を進めてきた。メモリスタは、消費電力が少なくSSDよりもパフォーマンスで上回り、コスト軽減も期待される。また、論理回路の製造も可能であり、1チップでプロセッサとメモリを実装可能だ。 Williams氏は不揮発性の半導体メモリとして、NAND型フラッシュメモリの代替品開発は問題はなく、また、DRAMについても1ビットあたりのエネルギー変換で2桁以上の改良が可能であると述べ、2014〜15年にはSRAMの代替品として商品化をする計画だとしている。 HPのスポークスマンはメモリスタの商品化の時期は約束はできないものの、開発は順調に進んでおり2013年内に商品化をするのが目標であることを認めた。

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サムスン、Appleとの法廷闘争により売上に打撃も

team HDT — Mon, 26 Sep 2011 06:24:26 +0000

サムスンとAppleは今年4月以降、スマホとタブレット（iPhone/iPad vs Galaxyシリーズ）の特許をめぐって全世界で訴訟合戦を繰り広げているが、サムスンにとっての代償は高く業績にも悪影響を与える可能性が報じられている。両社は現在、9カ国で20件以上の訴訟を抱えている（Reuters）。すでに、ドイツやオランダなどではサムスン電子の一部機種の販売が制限されており、また、オーストラリアでも今週、タブレット端末販売の是非について判断が下される。 Appleは脱サムスンを急速に進めており、サムスンにとっては最大顧客を失いつつあることを意味する。サムスンの昨年の総売上の約4パーセント（57億ドル）がApple向けだった。 Appleは日本メーカーからのDRAMとNAND型フラッシュメモリ買い入れを増やしており、また、次期iOSデバイス向けSoC製造でも、サムスンではなくTSMCと契約を締結したと報じられている。サムスン、Appleともに法廷外協議に持ち込んで和解したい思惑もあるが、サムスンが世界最大のIT企業相手に強気なスタンスを示しているのは、顧客からのサポートを得ようとする狙いもあるとみられている。実際、iPhoneを米国で発売しているキャリアVerizon Wirelessは先週、Appleの要求したサムスン製品販売差し止め命令を発行しないよう求める意見書を米裁判所に提出している。

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サムスン電子、20nmプロセス採用のDRAM量産へ

team HDT — Thu, 22 Sep 2011 04:32:14 +0000

サムスン電子は22日、20nmプロセス採用のDRAM量産を開始したと発表。また、最近完成した世界最大規模の工場「第16ライン」では、NAND型フラッシュメモリも生産する。チップの微細化により、スマートフォンやタブレット端末などの小型化や軽量化が可能となる。量産を開始したのは、2ギガビットのDDR3 DRAMで、年内にも4ギガビット品が開発される見込みだ。韓国では、サムスン以外にもハイニックスが来年前半に20nmプロセスDRAMの量産に入るとみられる。 20nmの量産により製造コストが約半分となり消費電力が40%軽減するほか、競合社比で40％安い価格で販売できるとされる。エルピーダメモリは同日、25nmプロセス採用のDRAMを開発完了したと発表したが、微細化競争でサムスンに先行される構図は変わっていない。

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Apple、「脱サムスン」加速＝日本からのDRAM/NAND型フラッシュ購入を増加

team HDT — Thu, 22 Sep 2011 03:05:35 +0000

Appleは日本メーカーからのDRAMとNAND型フラッシュメモリ買い入れを増やしているようだ。DIGITIMESが22日付けで伝えた。業界情報筋から得たという情報によると、Appleはサムスン電子からの購入を減らして、東芝やエルピーダメモリからの購入を増加させているという。サムスン電子との間で繰り広げられている、スマホやタブレットの特許を巡る対立が影響しているようだ。 Appleは次期iOSデバイス向けSoC製造でも、サムスン電子ではなくTSMCと正式に契約を締結したと報道されている。

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エルピーダ、世界最小となる25nmプロセスDRAMを開発＝次世代スマートフォンやタブレットに搭載へ

team HDT — Mon, 02 May 2011 15:35:24 +0000

半導体大手のエルピーダメモリは2011年5月2日、世界最細となる回路線幅25nmプロセス採用のDRAMを開発したと発表した。今年7月に広島工場（東広島市）で2ギガビット品の量産を開始し、サンプル出荷を予定している。また、年内には容量4ギガビット品の量産も開始予定だ。ライバルの韓国サムスン電子が30nm台のDRAM量産で先行するなか、世界で初めて20nm台の量産化を実現し、微細化競争でサムスンをついに逆転した。エルピーダは世界最小チップの開発により生産効率を高め、コスト競争力の強化を急ぐ。エルピーダが開発に成功した25nmのDRAMは、1ビットに用いるセル面積が現行の30nm台前半に比べて30%縮小し、シリコンウエハあたりのチップ取得数は約30%増加する。生産効率の向上に加え、消費電流も30nm比で15〜20%減となり、低消費電力化が実現する。チップの省スペースや低消費電力化により、スマートフォンやタブレット端末などの小型化や軽量化が可能となり、記憶容量やバッテリ駆動時間もアップする。

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