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半導体大手のエルピーダメモリは2011年5月2日、世界最細となる回路線幅25nmプロセス採用のDRAMを開発したと発表した。今年7月に広島工場（東広島市）で2ギガビット品の量産を開始し、サンプル出荷を予定している。また、年内には容量4ギガビット品の量産も開始予定だ。 ライバルの韓国サムスン電子が30nm台のDRAM量産で先行するなか、世界で初めて20nm台の量産化を実現し、微細化競争でサムスンをついに逆転した。エルピーダは世界最小チップの開発により生産効率を高め、コスト競争力の強化を急ぐ。 エルピーダが開発に成功した25nmのDRAMは、1ビットに用いるセル面積が現行の30nm台前半に比べて30%縮小し、シリコンウエハあたりのチップ取得数は約30%増加する。 生産効率の向上に加え、消費電流も30nm比で15〜20%減となり、低消費電力化が実現する。 チップの省スペースや低消費電力化により、スマートフォンやタブレット端末などの小型化や軽量化が可能となり、記憶容量やバッテリ駆動時間もアップする。