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ソニーは1月23日、スマートフォンやデジカメなど向けに次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーを開発したと発表。新しい「積層型CMOSイメージセンサー」により、高画質化・高機能化・小型化を実現するという。 積層型CMOSイメージセンサーはその名の通り積層構造が特徴で、従来の支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップを用い、その上に裏面照射型画素が形成された画素部分を重ね合わせている。 積層構造によってチップサイズを小さくしながらも、大規模な回路の搭載が可能となり、画素部分と回路部分の独立により、画素部分は高画質化に特化し、回路部分は高機能化に特化した製造プロセスを採用できる。回路部分への先端プロセス採用による高速化・低消費電力化も図れるという。 ソニーは通常外付けが必要なカメラ信号処理機能を内蔵したCMOSイメージセンサー（1/4型・有効約800万画素）を2012年3月よりサンプル出荷する。 ソニーは同日、暗いシーンでもノイズの少ない高画質撮影を可能とする独自の「RGBWコーディング」機能と、逆光でも色鮮やかな撮影を実現する独自の「HDR（ハイダイナミックレンジ）ムービー」機能を搭載したCMOSイメージセンサー2モデルの開発も発表しており、こちらのサンプルは6月以降順次出荷される予定だ。 RGBWコーディング機能は、従来のRGB（赤／緑／青）画素にW（白）画素を加えたことで、暗いシーンでもノイズの少ない高画質な撮影が可能となる。 また、「HDRムービー」機能は、幅広いダイナミックレンジを実現することで逆光などの明暗差が大きいシーンでも色鮮やかな撮影が可能となる。