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Tag Archives: DRAM
HP、メモリスタを18ヶ月以内に商用化へ
HPはHynixと共同開発しているメモリスタ（Memristor）を2013年内に商用化する計画を明らかにした。 HP Labsのシニア研究員であるStan Williams氏は、International Electronics Forum 2011において、2013年の夏にはメモリスタをフラッシュメモリの代替として商品化を実現し、その後SSD市場にも参入すると述べた。 メモリスタは、抵抗器、コンデンサ、インダクタに次ぐ第4の回路素子で、1971年にカリフォルニア大学バークレイ校のLeon Chua教授が理論上の回路として論文で発表していた技術だ。HPは2008年に二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタを開発して注目されていた。
サムスン、Appleとの法廷闘争により売上に打撃も
サムスンとAppleは今年4月以降、スマホとタブレット（iPhone/iPad vs Galaxyシリーズ）の特許をめぐって全世界で訴訟合戦を繰り広げているが、サムスンにとっての代償は高く業績にも悪影響を与える可能性が報じられている。両社は現在、9カ国で20件以上の訴訟を抱えている（Reuters）。 すでに、ドイツやオランダなどではサムスン電子の一部機種の販売が制限されており、また、オーストラリアでも今週、タブレット端末販売の是非について判断が下される。 Appleは脱サムスンを急速に進めており、サムスンにとっては最大顧客を失いつつあることを意味する。サムスンの昨年の総売上の約4パーセント（57億ドル）がApple向けだった。
サムスン電子、20nmプロセス採用のDRAM量産へ
サムスン電子は22日、20nmプロセス採用のDRAM量産を開始したと発表。また、最近完成した世界最大規模の工場「第16ライン」では、NAND型フラッシュメモリも生産する。チップの微細化により、スマートフォンやタブレット端末などの小型化や軽量化が可能となる。 量産を開始したのは、2ギガビットのDDR3 DRAMで、年内にも4ギガビット品が開発される見込みだ。韓国では、サムスン以外にもハイニックスが来年前半に20nmプロセスDRAMの量産に入るとみられる。 20nmの量産により製造コストが約半分となり消費電力が40%軽減するほか、競合社比で40％安い価格で販売できるとされる。 エルピーダメモリは同日、25nmプロセス採用のDRAMを開発完了したと発表したが、微細化競争でサムスンに先行される構図は変わっていない。
